一种芯片三维堆叠的高功率密度模块

本发明涉及功率模块技术领域，特别涉及一种芯片三维堆叠的高功率密度模块。所述芯片三维堆叠的高功率密度模块包括第一组件，第二组件，以及塑封体。所述第二铜层位于所述第一铜层上方且相互平行并间隔设置，连接铜排连接所述第二铜层和所述第一铜层。模块化设计的第二组件允许根据功率需求灵活增减其数量，不需要依赖复杂布线或中介层。将所述第一组件和所述第二组件的芯片端子先独立正放回流焊，然后再将所述第二组件倒置通过所述连接铜排与所述第一铜层进行超声焊接连接，克服了多次回流焊导致金属层增厚热阻增加以及倒置焊接焊料易脱落的技术障碍。第一铜层和第二铜层相互背向的端面与塑封体齐平并露出，可以直接外接散热器实现芯片的良好散热。