识别二维材料伪单晶的方法及系统、电子设备、存储介质
申请号:CN202511058777
申请日期:2025-07-30
公开号:CN120847089A
公开日期:2025-10-28
类型:发明专利
摘要
本公开涉及一种识别二维材料伪单晶的方法及系统、电子设备、存储介质。该识别二维材料伪单晶的方法,包括以下步骤:提供样品,样品包括平坦基底以及位于平坦基底上的二维材料层;采用暗场显微镜观测二维材料层,并获取二维材料层的光学图像;将光学图像中由明亮边界线围成的封闭区域作为目标区域;响应于目标区域内呈现相同的亮度,确定目标区域为真单晶;响应于目标区域内呈现不同的亮度,确定目标区域为伪单晶。本公开能够快速、低成本、且无损伤的识别二维材料中的伪单晶,进而使用可靠的真单晶提升器件的性能。
技术关键词
二维材料
暗场显微镜
单晶
集成电路版图设计
算法模块
核壳结构
亮度
电子设备
存储计算机程序
基底
成像设备
单色光
无损伤
散射光
处理器
可见光
光源
低成本
物镜