具有光刻形貌调整功能的高精度晶圆制造方法

本发明提供一种具有光刻形貌调整功能的高精度晶圆制造方法，包括：通过PECVD工艺在芯片的具有焊盘的一面上沉积第一介电膜层；对所述第一介电膜层施加光刻胶并使得所述光刻胶形成第一蚀刻图案；通过调整成第一蚀刻配方，使所述第一介电膜层具有未贯穿的第一设计图形且所述光刻胶的第一蚀刻图案保持不变；通过调整第二蚀刻配方仅完全蚀刻光刻胶且不进一步蚀刻所述第一介电膜层；通过调整第三蚀刻配方控制所述第一介电膜层的蚀刻速度而使所述芯片沿深度方向形成贯穿的双层图形；通过PVD沉积法在双层图形上形成阻挡层/种子层，并电镀金属铜层，获得第一层间互联结构。利用本发明，大幅减少了繁琐的工艺步骤，提升了生产效率并降低了成本。