一种面向大栅宽氮化镓晶体管的小信号参数提取方法及系统

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一种面向大栅宽氮化镓晶体管的小信号参数提取方法及系统
申请号:CN202511062288
申请日期:2025-07-31
公开号:CN120562351B
公开日期:2025-09-30
类型:发明专利
摘要
本发明公开了一种面向大栅宽氮化镓晶体管的小信号参数提取方法及系统,应用于电路分析与半导体器件应用领域,包括:获取晶体管在低频冷夹断条件下的实测Y参数,以定义晶体管寄生电容的优化范围,并通过SQP算法对寄生电容进行优化;获取晶体管在冷无偏条件下的实测Y参数,并与得到的寄生电容结合进行寄生电容参数剥离,根据Z参数,分别提取晶体管寄生电感和寄生电阻;剥离得到的寄生电感和寄生电阻,并将Z参数转换为Y参数,利用分频段加权法进行本征跨导和输出电阻的初值提取;求取除本征跨导和输出电阻外的其余本征参数初值,并通过SQP算法对各个本征参数进行优化。本发明有效提高了大栅宽氮化镓晶体管的小信号参数提取精度与效率。
技术关键词
信号参数提取方法 氮化镓晶体管 执行实部 电感 频率 曲线斜率 电阻 端口 算法 参数提取系统 漏极寄生电容 晶体管栅极 频段 表达式 误差 定义 半导体器件