氧化镓硅基集成日盲紫外图像传感器及其制备方法

本发明涉及光电探测器技术领域，公开了一种氧化镓硅基集成日盲紫外图像传感器及其制备方法。氧化镓硅基集成日盲紫外图像传感器的制备方法，包括以下步骤：S100、制备硅基底电极；S200、在硅基底电极的像素区的电极上磁控溅射沉积氧化镓薄膜，以实现低温、无衬底选择性地生长氧化镓薄膜，得到器件；S300、器件进行真空退火处理，以提升器件光电探测性能；S400、在器件上电子束蒸发镀制薄层电极；S500、在器件上旋涂紫外光刻胶，利用无掩膜光刻和电子束蒸发镀膜技术，制备跨像素对齐的导电栅线；S600、利用去胶液剥离多余金属部分，暴露出透明顶电极，制得氧化镓硅基集成日盲紫外图像传感器。