半导体封装结构和半导体结构

本申请涉及半导体工艺技术领域，具体地，涉及一种半导体封装结构和半导体结构。该半导体封装结构，至少包括：依次堆叠的法兰层和陶瓷基板层；其中：所述法兰层和所述陶瓷基板层的接触界面形成第一金属化层；所述陶瓷基板层表面用于连接待封装芯片，所述待封装芯片和所述陶瓷基板层之间的接触界面形成有第二金属化层；所述第二金属化层包括相互独立的源极、漏极和栅极；所述源极、所述漏极和所述栅极之间设置有隔离区。提供了一种导热性能优异，耐高压高温，热应力小，适用范围广，使用寿命长，成本更低，可靠性更高的半导体封装结构。