一种IGBT功率模块键合线受电磁力预测模型构建方法及设备
申请号:CN202511067820
申请日期:2025-07-31
公开号:CN120893314A
公开日期:2025-11-04
类型:发明专利
摘要
本发明涉及一种IGBT功率模块键合线受电磁力预测模型构建方法,包括:建立IGBT功率模块3D模型;导入Q3D模块;设置自定义材料参数,设置导通路径;进行自定义加密网格剖分计算;进行参数化扫描;在导入后的模型的键合线附近选择3个关键点进行观测;得到IGBT功率模块键合线受电磁力预测模型。本发明通过实现了对键合线所受电磁力的精准预测,具有多方面显著优势,借助ANSYS MAXWELL与Q3D模块的协同仿真,结合参数化扫描与物理信息神经网络训练,能够全面覆盖IGBT模块在开通、关断瞬态及导通静态下的磁场分布特性,有效解决了传统研究中对IGBT内部复杂结构引发的局部磁场辐射关注不足的问题,填补了高频开关过程中瞬态磁场扰动对器件可靠性影响的精细化建模空白。
技术关键词
预测模型构建方法
IGBT功率模块
计算机程序指令
仿真软件
BP神经网络
参数
网格
关键点
IGBT模块
瞬态磁场
神经网络训练
处理器
高频开关
曲线
磁通
电流
表面光滑
端点
芯片