半导体器件及其制造方法

本发明提供一种半导体器件及其制造方法，半导体器件的制造方法包括：提供一衬底，包括芯片区和边缘区，芯片区包括第一区域和第二区域，边缘区包括第三区域和第四区域，第一区域与第四区域通过第二区域与第三区域隔开；采用第一掩膜版在衬底中形成第一图案和第二图案，第一图案位于第一区域和第二区域的衬底中，第二图案位于第三区域的衬底中；第一掩膜版包括第一部分与第二部分，第一部分用于形成第一图案，第二部分用于形成第二图案，第二部分中用于形成第二图案的部分位于第一部分的第一侧边与第二侧边，第一侧边与第二侧边相连。本发明使得能够避免在填充导电材料时与边缘区相邻的芯片区的拐角处的图案提前封口。