一种芯片正面散热结构、功率模块及制作方法
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一种芯片正面散热结构、功率模块及制作方法
申请号:
CN202511076321
申请日期:
2025-08-01
公开号:
CN120749092A
公开日期:
2025-10-03
类型:
发明专利
摘要
本发明属于半导体器件技术领域,公开了一种芯片正面散热结构、功率模块及制作方法,所述芯片正面散热结构包括第一陶瓷覆铜板、金属铜板、第一铜带和第二铜带,第一铜带和第二铜带的两端均焊接于金属铜板的下表面,第一铜带的中部远离金属铜板的一侧设有拱起结构的芯片连接部,第二铜带的中部远离金属铜板的一侧设有拱起结构的基板连接部,所述金属铜板的上表面焊接在第一陶瓷覆铜板的下表面。本发明设计的芯片正面散热结构,其导热性能优越,提高了芯片的正面散热效果,而且结构稳定、一体化程度高,方便制作和安装。
技术关键词
陶瓷覆铜板
散热结构
拱起结构
铜带
芯片
功率模块
接触区
正面
金属散热底板
基板
电极
焊料
半导体器件技术
成型设备
回流焊设备
外壳
上印刷
环氧树脂
通孔