一种芯片正面散热结构、功率模块及制作方法

AITNT-国内领先的一站式人工智能新闻资讯网站
# 热门搜索 #
一种芯片正面散热结构、功率模块及制作方法
申请号:CN202511076321
申请日期:2025-08-01
公开号:CN120749092A
公开日期:2025-10-03
类型:发明专利
摘要
本发明属于半导体器件技术领域,公开了一种芯片正面散热结构、功率模块及制作方法,所述芯片正面散热结构包括第一陶瓷覆铜板、金属铜板、第一铜带和第二铜带,第一铜带和第二铜带的两端均焊接于金属铜板的下表面,第一铜带的中部远离金属铜板的一侧设有拱起结构的芯片连接部,第二铜带的中部远离金属铜板的一侧设有拱起结构的基板连接部,所述金属铜板的上表面焊接在第一陶瓷覆铜板的下表面。本发明设计的芯片正面散热结构,其导热性能优越,提高了芯片的正面散热效果,而且结构稳定、一体化程度高,方便制作和安装。
技术关键词
陶瓷覆铜板 散热结构 拱起结构 铜带 芯片 功率模块 接触区 正面 金属散热底板 基板 电极 焊料 半导体器件技术 成型设备 回流焊设备 外壳 上印刷 环氧树脂 通孔