一种氮化物微型共振腔发光二极管芯片的制备方法及芯片

本发明属于微型发光二极管显示技术领域，提供了一种氮化物微型共振腔发光二极管芯片的制备方法及芯片，方法包括：第一分布式布拉格反射镜阵列单元制备、选区外延生长、氮化物发光二极管外延结构制备、P型透明电极层蒸镀、第二分布式布拉格反射镜叠层制备、N型电极层及金属加厚层沉积以及芯片切割；本发明公开的制备方法无需使用衬底剥离工艺，简化了氮化物微型共振腔发光二极管芯片的制备工艺，并可以显著缩短谐振腔的腔长，增强了氮化物微型共振腔发光二极管芯片的出光方向性和出光强度、降低了发光峰线宽，实现了高性能氮化物微型共振腔发光二极管芯片。