一种氧化碲忆阻器及其制备和应用

本发明提供了一种氧化碲忆阻器及其制备和应用，属于半导体器件应用技术领域，本发明利用热蒸发法制备TeOx薄膜，和磁控溅射法沉积电极的方法构建了A/TeOx/A结构的忆阻器；本发明忆阻器在光和电刺激下实现突触可塑性和或、与逻辑门；在不同波长光脉冲的调制下，该忆阻器可用于生物突触可塑性模拟，如联想学习行为，巴甫洛夫条件反射和大脑中“褪黑激素的分泌和抑制”过程；此外，该器件所展示的短期可塑性和长期可塑性可以模拟视觉神经网络在识别和记忆噪声图像方面的功能，通过将突触可塑性功能与人工神经网络(ANN)进一步结合，该器件能够实现精确的图像识别和分类，准确率达到92.4％，这表明了基于TeOx的光电器件在人工视觉应用领域的巨大潜力。