一种耐高温防静电芯片封装材料及其制备方法

本发明提供了一种耐高温防静电芯片封装材料，由以下重量份数的组分制备而成：聚苯乙烯树脂50～55份，交联剂5～6份，润滑剂0.5～1份，抗氧剂0.3～0.6份，助剂1～2份，防静电剂16～20份，增韧剂1～1.5份。本发明还提供了该耐高温防静电芯片封装材料的制备方法。本发明所提供的耐高温防静电芯片封装材料具有较强的耐高温性能和防静电性能。