一种芯片测试探针用高导电率钯合金及其制备方法

一种芯片测试探针用高导电率钯合金及其制备方法，以质量百分比计，钯合金包括50‑58%Pd、35‑40%Cu、5‑10%Ag、0.05‑1.0%Cr及0.1‑1.5%辅助元素；辅助元素选自Al、Zn、In、Si中至少一种；钯合金的电阻率在8.0μΩ·cm以下，维氏硬度在450HV以上、90°折弯次数在8次以上、抗拉强度在1500MPa以上、延伸率在6%以上，钯合金经过预熔炼和二次熔炼，包括将原料中的至少部分Cu和至少部分Cr混合预熔炼，得到铜铬中间合金；将所述铜铬中间合金与剩余原料混合后进行二次熔炼。本发明的钯合金能够同时满足各种形态探针对低电阻、高塑韧性、耐疲劳性及力学强度等的迫切需求。