半导体器件及其制造方法和电子设备

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半导体器件及其制造方法和电子设备
申请号:CN202511081036
申请日期:2025-08-01
公开号:CN120812953A
公开日期:2025-10-17
类型:发明专利
摘要
本公开涉及一种半导体器件及其制造方法和电子设备,该半导体器件,包括:基板、芯片单元和存储单元,其中,基板包括第一金属布线层;芯片单元设置于基板且与第一金属布线层连接,存储单元设置于基板且位于芯片单元的侧向,存储单元通过引线与第一金属布线层电连接。如此,能够芯片单元和存储单元通过第一金属布线层的连接,降低芯片单元与存储单元之间的信号传输距离,减少插损,提高数据传输的质量。
技术关键词
金属布线层 半导体器件 存储单元 芯片 基板 引线 存储模块 封装体 电子设备 封装材料 积层 芯板 通孔 信号
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