半导体器件及其制造方法和电子设备
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半导体器件及其制造方法和电子设备
申请号:
CN202511081036
申请日期:
2025-08-01
公开号:
CN120812953A
公开日期:
2025-10-17
类型:
发明专利
摘要
本公开涉及一种半导体器件及其制造方法和电子设备,该半导体器件,包括:基板、芯片单元和存储单元,其中,基板包括第一金属布线层;芯片单元设置于基板且与第一金属布线层连接,存储单元设置于基板且位于芯片单元的侧向,存储单元通过引线与第一金属布线层电连接。如此,能够芯片单元和存储单元通过第一金属布线层的连接,降低芯片单元与存储单元之间的信号传输距离,减少插损,提高数据传输的质量。
技术关键词
金属布线层
半导体器件
存储单元
芯片
基板
引线
存储模块
封装体
电子设备
封装材料
积层
芯板
通孔
信号
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