一种基于显微成像的氧化镓晶体缺陷检测方法及系统

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一种基于显微成像的氧化镓晶体缺陷检测方法及系统
申请号:CN202511082326
申请日期:2025-08-04
公开号:CN120971386A
公开日期:2025-11-18
类型:发明专利
摘要
本发明公开了一种基于显微成像的氧化镓晶体缺陷检测方法及系统,涉及量子缺陷检测技术领域,包括,对表面增强型氧化镓晶体施加交变电场并照射纠缠光子源,生成多模态量子激发场,并利用蜂窝边界态局域场,激发缺陷处的载流子跃迁,生成量子激发信号;基于缺陷三维坐标及缺陷载流子复合寿命计算缺陷活性系数,并通过伪彩色映射,生成缺陷活性分布热力图;通过双通道卷积神经网络,对缺陷活性分布热力图进行缺陷活性深度判据与缺陷形貌关联分析,输出氧化镓晶体缺陷多维度报告;本发明通过双通道神经网络对缺陷进行深度分析,实现了缺陷形貌特征与载流子动力学行为的协同解析。
技术关键词
晶体缺陷检测方法 氧化镓晶体 双通道卷积神经网络 表面增强型 显微成像 热力图 纠缠光子源 光子晶体 交变电场 蜂窝状 局域 信号特征 双通道神经网络 坐标 量子态 空间映射算法 寿命 多模态特征融合