一种Micro LED芯片激光诱导前向转移建模方法
申请号:CN202511084513
申请日期:2025-08-04
公开号:CN120874386A
公开日期:2025-10-31
类型:发明专利
摘要
本发明涉及芯片转移技术领域,公开了一种Micro LED芯片激光诱导前向转移建模方法,包括:建立Micro LED芯片激光诱导前向转移的三维固体力学多物理场模型和几何物理模型;根据几何物理模型的各个组成部分在三维固体力学多物理场模型的三维空间结构中,在多物理场耦合作用下的力学行为,组合三维固体力学多物理场模型的几何物理模型,得到Micro LED芯片激光诱导前向转移的目标模型,目标模型用于对激光使动态释放层汽化形成高压气体的过程以及高压气体驱动Micro LED芯片从刚性源基板剥离转移的过程进行仿真模拟,以获得Micro LED芯片激光诱导前向转移过程的动态行为。
技术关键词
激光诱导前向转移
三维空间结构
建模方法
物理
释放层
力学
动态
固体
芯片转移技术
气体
泊松比
高压
基板
压强
建模系统
处理器通信