一种基于增强记忆状态空间模型的磁芯损耗预测方法

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一种基于增强记忆状态空间模型的磁芯损耗预测方法
申请号:CN202511086383
申请日期:2025-08-05
公开号:CN120578943B
公开日期:2025-10-31
类型:发明专利
摘要
本发明提供了一种基于增强记忆状态空间模型的磁芯损耗预测方法,涉及磁芯损耗预测技术领域,获取输入特征:B波形、H波形、温度和频率;通过Mamba状态空间模型处理得到基本特征,通过特征转换模块将基本特征进行增强,得到中间特征;通过构建增强记忆状态空间模型,计算中间特征与记忆矩阵间的相似度,使用记忆矩阵检索的特征与中间特征融合获取精炼特征,最终经过输出层生成体积损耗预测值;记忆增强机制,通过外部记忆存储关键特征表示,显著提升了增强记忆状态空间模型的预测精度和泛化能力。
技术关键词
状态空间模型 记忆 矩阵 磁芯 损耗 波形 多层感知机 样本 注意力 蒸馏 代表 频率 特征点 机制 阶段 基础 模块 因子 线性 元素