一种基于增强记忆状态空间模型的磁芯损耗预测方法
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一种基于增强记忆状态空间模型的磁芯损耗预测方法
申请号:
CN202511086383
申请日期:
2025-08-05
公开号:
CN120578943B
公开日期:
2025-10-31
类型:
发明专利
摘要
本发明提供了一种基于增强记忆状态空间模型的磁芯损耗预测方法,涉及磁芯损耗预测技术领域,获取输入特征:B波形、H波形、温度和频率;通过Mamba状态空间模型处理得到基本特征,通过特征转换模块将基本特征进行增强,得到中间特征;通过构建增强记忆状态空间模型,计算中间特征与记忆矩阵间的相似度,使用记忆矩阵检索的特征与中间特征融合获取精炼特征,最终经过输出层生成体积损耗预测值;记忆增强机制,通过外部记忆存储关键特征表示,显著提升了增强记忆状态空间模型的预测精度和泛化能力。
技术关键词
状态空间模型
记忆
矩阵
磁芯
损耗
波形
多层感知机
样本
注意力
蒸馏
代表
频率
特征点
机制
阶段
基础
模块
因子
线性
元素