基于超声波共振调控的碳化硅晶体材料剥离装置及方法

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基于超声波共振调控的碳化硅晶体材料剥离装置及方法
申请号:CN202511092253
申请日期:2025-08-05
公开号:CN120839949A
公开日期:2025-10-28
类型:发明专利
摘要
本发明公开了基于超声波共振调控的碳化硅晶体材料剥离装置及方法,涉及碳化硅晶体材料剥离技术领域;而本发明包括超声波剥离装置,超声波剥离装置包括配合使用的超声波发射器、样品固定组件、共振频率检测单元、实时监测系统与自动控制模块,超声波发射器包括用于调节频率的功率控制模块;高精度剥离:通过利用共振频率匹配系统获取材料固有共振频率,并精确调节超声波发射器的频率和功率,能够在特定时间窗口内实现界面应力集中,诱导材料分层或剥离,剥离厚度控制精度可达±5μm。这满足了半导体制造等对材料剥离精度要求极高的行业需求,可减少因剥离精度不足导致的产品次品率,提升产品质量。
技术关键词
碳化硅晶体材料 剥离装置 超声波发射器 共振频率 实时监测系统 功率控制模块 激光多普勒测振仪 负压吸附机构 阻抗匹配层 激光干涉仪 压电传感器 学习算法 阵列结构 信号特征 分层 精度