一种特殊倒角工艺下硅片边缘缺陷检测方法及系统

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一种特殊倒角工艺下硅片边缘缺陷检测方法及系统
申请号:CN202511104071
申请日期:2025-08-07
公开号:CN120953233A
公开日期:2025-11-14
类型:发明专利
摘要
本发明提供了一种特殊倒角工艺下硅片边缘缺陷检测方法及系统,属于半导体领域,包括获取倒角后的硅片边缘图像;对硅片边缘图像进行逐层卷积提取目标轮廓特征,利用分组卷积捕捉目标轮廓特征中的局部细节特征再进行全局平均池化和激活函数计算,得到缺陷概率;根据缺陷概率筛选出硅片边缘图像中的带缺陷图像;提取缺陷的图像的边缘纹理特征;对提取到的边缘纹理特征进行多通道动态卷积核加权和特征融合,融合后的特征信息进行空间增强,得到增强后的目标特征;基于增强后的目标特征进行回归计算,输出缺陷边界框。将硅片边缘缺陷自动化检测方法并部署于工业现场,大幅提高硅片的良率和产能。
技术关键词
边缘缺陷检测方法 倒角工艺 局部细节特征 硅片 轮廓特征 纹理特征 多通道特征 图像 分类神经网络 自动化检测方法 缺陷检测系统 多尺度特征 模型误差 环形光源 残差网络 工业现场 注意力机制 动态 网络架构