一种倒装银镜发光二极管芯片及其制备方法

本发明涉及半导体器件技术领域，尤其涉及一种倒装银镜发光二极管芯片及其制备方法，该制备方法通过沉积不同腐蚀速率的第二绝缘层子层，结合光刻保护工艺，可在BOE腐蚀后保留开孔上方的部分第二绝缘层，从而避免BOE溶液钻腐，防止了形成Al金属空洞，提升发光二极管耐大电流冲击的能力；而且本发明的金属连接层顶部只需要用Cr及Ni等金属作为保护子层，不需要使用贵金属Au作为保护子层，降低了发光二极管芯片的制备成本。