一种低粗糙度n型电极LED芯片的制备方法及芯片

本发明属于LED芯片技术领域，具体涉及一种低粗糙度n型电极LED芯片制备方法，将AlGaN紫外LED芯片的常规第一n型接触电极作为牺牲电极，在第一n型接触电极高温退火合金化形成n型欧姆接触，此时外延片势垒已形成，采用湿法腐蚀的方法去掉第一n型接触电极，然后蒸镀功函数适宜的第二n型电极，同时起到加厚电极、电流扩展的作用，可获得优良的第二n型电极外观和电压。本发明可有效解决第一n型接触电极高温退火合金化后的粗糙引起的外观不良、良率损失和可靠性问题。