单晶硅制备方法和硅片

本申请实施例涉及半导体材料制备技术领域，提供一种单晶硅制备方法和硅片，包括：在晶体位于等径阶段的第一时段时，根据晶体的结晶潜能降低加热器的功率，得到第一功率；在晶体位于等径阶段的第二时段时，控制加热器按照第一功率运行；在晶体位于等径阶段的第三时段时，根据晶体的真实长度和真实拉速，确定加热器的功率补偿值，并采用功率补偿值对加热器的功率进行补偿得到第二功率，功率补偿值包括第一补偿值和第二补偿值，第一补偿值为采用比例积分微分算法计算得到的补偿值，第二补偿值为与真实拉速相关的动态变化的补偿值，第二功率大于第一功率。该方法根据晶体的真实拉速和真实长度对加热器功率进行补偿，降低了晶体的断线率。