一种基于Transformer模型的光刻机掩膜版对准方法
申请号:CN202511106929
申请日期:2025-08-08
公开号:CN120595546B
公开日期:2025-10-24
类型:发明专利
摘要
本发明公开了一种基于Transformer模型的光刻机掩膜版对准方法,涉及光刻机技术领域,用于解决当前光刻机掩膜版对准精度不准确问题;该方法首先通过采集掩膜版与晶圆组合的图像数据,并对图像进行噪声去除和归一化处理。接着,通过区域划分、物理特性分析和多因子融合算法计算各子区域的动态系数,将提取的特征数据与动态系数序列化后输入Transformer模型,进行自注意力机制处理,输出掩膜版与晶圆的对准偏差预测值。最后,根据偏差预测值,采用自适应步进电机控制策略动态调整掩膜版位置和角度,精确补偿平移与旋转误差。该方法能够实时、精准地调整光刻机掩膜版位置,提高光刻精度和生产效率。
技术关键词
对准方法
掩膜
动态
步进电机控制策略
图像
对准偏差
并行流水线
光刻机技术
矩阵
前馈神经网络
序列
旋转误差
关键点
数据噪声
物理
融合算法
注意力