级联封装结构及其封装方法

本发明提供一种级联封装结构及其封装方法，通过于高压D Mode HEMT芯片内部或者封装体内形成金属连接柱，将HEMT芯片的源极引至芯片背面，且将HEMT芯片和低压MOS芯片直接设置于金属框架上，以使得HEMT芯片的源极以及MOS芯片的漏极直接通过金属框架电性连接，解决了现有级联封装器件打线电阻和电感较高，且散热能力不高的问题。