一种具有元胞温度检测功能的功率芯片制备工艺及版图

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一种具有元胞温度检测功能的功率芯片制备工艺及版图
申请号:CN202511112814
申请日期:2025-08-09
公开号:CN120957433A
公开日期:2025-11-14
类型:发明专利
摘要
本申请提供了一种具有元胞温度检测功能的功率芯片制备工艺及版图,利用肖特基金属与较低掺杂浓度第二多晶硅直接接触形成肖特基二极管。当器件有源区通过电流产生热量,晶格将热量传导至第一沟槽内的肖特基结,使肖特基二极管自身势垒高度发生变化,从而改变其导通压降,通过计算获取该器件在工作时的有源区内部实时温度。
技术关键词
温度检测功能 功率芯片 肖特基二极管 元胞 沟槽侧壁上生长 版图 有源区 制作多晶硅 氧化层 肖特基金属 接触孔 势垒高度 外延 电极