一种倒装发光二极管芯片及其制备方法

申请号：CN202511124337

申请日期：2025-08-12

公开号：CN121038464A

公开日期：2025-11-28

类型：发明专利

摘要

本发明涉及一种倒装发光二极管芯片及其制备方法，属于半导体器件技术领域，所述倒装发光二极管芯片，包括：p型电极层，设有中空区和凸出部；n型电极层，包括第一n型电极层和第二n型电极层，所述第一n型电极层位于所述中空区内，以备p型电极层将第一n型电极层包围；所述第二n型电极层围设在所述凸出部的外侧，以备第二n型电极半包围在p型电极层外侧。

技术关键词

发光二级管芯片电流扩展层应力缓冲层多量子阱层 p型欧姆接触层电子阻挡层外延结构焊盘电极芯片结构半导体器件技术 p型半导体层衬底