一种基于直接引线键合的分立器件封装结构

本发明公开了一种基于直接引线键合的分立器件封装结构，属于半导体器件封装技术领域，包括功率半导体芯片、漏极金属基板、栅极引线端子、漏极引线端子、键合线、支撑外壳。漏极金属基板与功率半导体芯片的下表面通过焊料相连。所述功率半导体芯片上表面的栅极金属电极与栅极引线端子通过键合线相连，功率半导体芯片上表面的源极金属电极与源极引线端子通过焊料相连。支撑外壳的内部使用硅凝胶或注塑工艺进行填充，覆盖住所述功率半导体芯片作为绝缘介质。本发明提高了器件的功率密度，降低了器件整体的寄生参数，提高了互连结构的可靠性。