一种基于SiC器件的高效整流器热管理方法

本发明属于高效整流器热管理技术领域，本发明提供了一种基于SiC器件的高效整流器热管理方法，包括以下步骤：采集满载条件下高效整流器内SiC器件的温度分布，通过分析温度变化的范围获取瞬态升温区域和稳态升温区域；采集SiC器件的全局电压和局部电压，通过全局电压变化率与典型值的比较判定是否出现全局雪崩现象，若是，则通过局部电压与温度计算热‑电耦合系数，提取雪崩击穿源候选网格区域并定位局部雪崩起源点，明确雪崩击穿起源点的具体位置；根据热‑电耦合系数以及空间重叠占比输出空间重叠度，判断是否由于雪崩击穿现象导致瞬态升温，若雪崩击穿导致瞬态升温，则触发雪崩击穿防护优化。