一种单晶碳化硅激光改质剥离的工艺参数调控方法及系统

本发明属于单晶SiC的激光改质剥离技术，涉及一种单晶碳化硅激光改质剥离的工艺参数调控方法及系统。方法包括以下步骤：设置激光改质的工艺参数，对单晶碳化硅进行激光改质；同时利用扫频光学相干断层扫描法实时监测激光改质区域的裂纹形核三维形貌；基于裂纹形核三维形貌提取特征信息；特征信息包括孔洞尺寸、裂纹深度、分布密度特征；将工艺参数及特征信息输入预先构建的卷积神经网络模型中，输出裂纹形核的预测形貌；基于特征信息，将预测形貌与理想形貌进行相似度对比，若相似度低于预设相似度，动态调整工艺参数，迭代优化直至相似度达到预设相似度，则工艺参数调整合格。解决了实时监测与反馈的缺失，以及裂纹形核与扩展不可控的问题。