一种金属栅极化学机械抛光后清洗液及其制备方法和应用
申请号:CN202511150744
申请日期:2025-08-18
公开号:CN121022525A
公开日期:2025-11-28
类型:发明专利
摘要
本发明提供一种金属栅极化学机械抛光后清洗液及其制备方法和应用,所述金属栅极化学机械抛光后清洗液包括重量配比如下的各组分:生物素聚乙二醇衍生物1‑10份;缓蚀剂0.1‑1份;络合剂10‑25份;有机溶剂10‑20份;超纯水50‑70份;所述生物素聚乙二醇衍生物选自生物素聚乙二醇叶酸、生物素聚乙二醇二巯基吡啶和生物素聚乙二醇罗丹明中的一种或多种。本发明还公开了金属栅极化学机械抛光后清洗液的制备方法及其应用。所述金属栅极化学机械抛光后清洗液清洗能力强,清洗后的芯片表面粗糙度低,在半导体芯片化学机械抛光后清洗领域具备良好应用前景与工业化推广潜力。
技术关键词
金属栅极
机械抛光
聚乙二醇衍生物
清洗液
生物素
乙二胺四亚甲基膦酸
缓蚀剂
磺胺二甲氧嘧啶
羟基亚乙基二膦酸
氨基三亚甲基膦酸
磺胺间甲氧嘧啶
半导体芯片
磺胺异噁唑
二巯基
罗丹明
超纯水
有机膦酸
二甲基甲酰胺