静电放电测试结构、测试方法以及芯片

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静电放电测试结构、测试方法以及芯片
申请号:CN202511154479
申请日期:2025-08-18
公开号:CN120908577A
公开日期:2025-11-07
类型:发明专利
摘要
本发明提供一种静电放电测试结构、测试方法以及芯片,所述测试结构包括:静电放电保护器件与被保护器件,所述静电放电保护器件的正极与所述被保护器件的正极共同连接第二测试垫,所述静电放电保护器件的负极连接第一测试垫,所述被保护器件的负极连接第三测试垫。本发明测试垫进行了耦合,缩减了静电放电测试结构的排版布局面积,同时,采用第一测试垫、第二测试垫与第三测试垫对静电放电测试结构进行TLP特性测试,能够精确实测出静电放电保护器件有效窗口内的有效脉冲电流,不过度依赖于测试硬件,弥补了业内测试的不足,同时不受机台等的寄生内阻的影响,不需要推算。
技术关键词
静电放电测试结构 静电放电保护器件 静电放电测试方法 N型金属氧化物半导体 负极 双极结型晶体管 布局面积 探针 电压 场效应管 芯片 高电位 栅极 衬底