一种晶体管自热效应的仿真方法及相关产品

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一种晶体管自热效应的仿真方法及相关产品
申请号:CN202511165960
申请日期:2025-08-19
公开号:CN120911127A
公开日期:2025-11-07
类型:发明专利
摘要
本申请公开了一种晶体管自热效应的仿真方法及相关产品,可应用于半导体技术领域,该方法包括:获取目标器件对应的器件结构文件;基于器件结构文件确定目标器件各个器件区域的热导率初值;基于热导率初值,分别确定各个器件区域对应的第一温度值;基于第一温度值分别确定各个器件区域所对应的第一热导率值;基于第一热导率值,分别确定各个器件区域对应的第二温度值;当各个器件区域对应的第一温度值与第二温度值的差值均小于预设阈值时,基于第二温度值分别确定各个器件区域所对应的第二热导率值,并输出各个器件区域所对应的第二热导率值。如此,通过引入预设阈值,充分考虑温度与热导率之间的紧密联系,提高了仿真结果的准确性。
技术关键词
器件结构 仿真方法 热传导 晶体管 热仿真模型 可读存储介质 存储计算机程序 仿真设备 仿真装置 输出模块 处理器 脚本 方程 尺寸 存储器 标记 定义 电极 直线