晶上系统的封装结构及其制作方法

本发明实施例提供了一种晶上系统的封装结构及其制作方法，涉及系统级超大封装的技术领域。其中，该封装结构包括：转接板，背面设置有微通道沟槽、密封结构，正面设置有第一金属布线层；第一散热模块，与所述微通道沟槽连通，以循环冷却液；至少一对SoW芯片，均设置于所述转接板的正面，以使相邻的所述SoW芯片基于所述第一金属布线层实现互连；第二散热模块，与所述SoW芯片接触，以为所述SoW芯片散热。通过本发明实施例，解决了相关技术中高功耗芯片功率密度的提升与散热效率不足的矛盾的问题，进而达到了能够平衡高功耗芯片功率密度的提升与散热效率的效果。