一种用于分布式反馈激光器芯片的划片方法及其应用

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一种用于分布式反馈激光器芯片的划片方法及其应用
申请号:CN202511196763
申请日期:2025-08-26
公开号:CN121035758A
公开日期:2025-11-28
类型:发明专利
摘要
本发明涉及光电器件技术领域,公开了一种用于分布式反馈激光器芯片的划片方法及其应用,所述用于分布式反馈激光器芯片的划片方法包括:在所述分布式反馈激光器芯片的背面设置预设切割区域,在所述预设切割区域处进行干法刻蚀和湿法腐蚀,形成引导裂片的应力集中槽;所述应力集中槽具有楔形导向结构,所述楔形导向结构包括对称斜向收敛壁面。实施本发明的划片方法,形成引导裂片的应力集中槽,可以取代传统的机械划片的工艺,降低芯片表面产生微裂纹的可能性,进而改善传统机械损伤,提升芯片的划裂良率,并且降低对设备的依赖,降低成本。
技术关键词
分布式反馈激光器 划片方法 芯片 V型凹槽 应力 光电器件技术 衬底 涂覆光刻胶 旋涂工艺 刻蚀深度 刻蚀气体 槽体 壁面 微裂纹 速率 中心线 机械