WLCSP芯片的多DBC封装结构及封装方法

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WLCSP芯片的多DBC封装结构及封装方法
申请号:CN202511202977
申请日期:2025-08-27
公开号:CN120709152B
公开日期:2025-10-28
类型:发明专利
摘要
本发明公开了WLCSP芯片的多DBC封装结构及封装方法,属于芯片封装技术领域,解决了现有散热封装结构芯片的热传导路径冗长且整体热阻大,限制了芯片整体散热能力的问题,方法包括对晶圆盘内晶圆分别进行介电层沉积处理,晶圆表面焊盘阵列式安装金属凸点,制作低热阻路径的DBC封装架构;采用DBC倒装工艺对WLCSP芯片和DBC封装架构倒装互连;将封装后的单体WLCSP芯片置于模塑机的模具内,采用修边机切除掉多余的结构铜,形成成品WLCSP芯片;本发明中,基于DBC倒装工艺对WLCSP芯片和DBC封装架构倒装互连,保证了更有效地将芯片产生的热量传导至外部,利用DBC封装架的高导热、高绝缘特性,实现高可靠性的芯片封装,并提高芯片的稳定性。
技术关键词
导热陶瓷 凸点 芯片 纳米银浆 封装方法 封装基板 倒装工艺 趋肤深度 激光钻孔技术 焊盘阵列 封装结构 综合法 热阻模型 倒装互连方法 晶圆 低热阻 焊盘尺寸 嵌入温度传感器