用于低电阻率重掺磷硅单晶的气相掺杂装置及掺杂方法

本发明提供一种用于低电阻率重掺磷硅单晶的气相掺杂装置及掺杂方法，属于重掺硅单晶生产技术领域。包括盛料组件、称料箱、传输组件、挥发加热腔、输气组件；盛料组件设置在称料箱中以盛放预定重量的红磷，传输组件将称料箱与挥发加热腔连接，以通过传输组件将装有红磷的盛料组件从称料箱输送至挥发加热腔中；挥发加热腔用于对盛料组件内的红磷进行加热，以将固态的红磷转化为气态；输气组件的进气口与挥发加热腔连接，输气组件的出气口用于伸入单晶炉内，将挥发加热腔中的气态的红磷传输至单晶炉的硅熔体中。本发明使用气相掺杂的方式将气相磷直接输入单晶炉体内进行掺杂，避免了传统掺杂时的严重挥发，确保达到单晶硅的电阻率要求。