光栅耦合器及其制备方法

本发明涉及一种光栅耦合器及其制备方法，涉及硅基光电子芯片技术领域，该光栅耦合器包括了基底以及位于基底的一侧的波导层，该波导层包括光栅区，在波导层的远离基底的一侧设置有超表面结构。该超表面结构可以对入射光进行相位调控，从而调整不同波长的入射光的入射角度。光栅区的波导层的折射率是周期性变化的，其可以通过布拉格散射效应将入射光耦合进入波导层中。光栅区的耦合角度和入射光的波长相关，设置超表面结构可以调整不同波长的入射光的入射角度，使整个波段范围内的入射光都更接近布拉格衍射的适宜耦合角度，从而提升光栅耦合器的光学带宽。