一种测试ACDC电源芯片内部合封MOS雪崩能量的方法

本发明提供了一种测试ACDC电源芯片内部合封MOS雪崩能量的方法，包括设置测试电路，将被测芯片的VDD脚接第一直流电源，CS和COMP引脚接地；在SW与GND脚间并联耐压值更高的外部MOS管，通过电感连接第二直流电源；外部MOS的G脚经限流电阻接可控脉冲方波驱动，施加驱动电压使其导通，维持第一预设时间后关断；当内部MOS电压超耐压值时触发雪崩，用示波器测量其电压和电流波形；计算雪崩能量后逐步延长导通时间重复测试，直至内部MOS损坏，以损坏前一次的能量值为最大雪崩能量。本发明可以准确测定ACDC电源芯片内部MOS管的最大雪崩能量，为芯片可靠性评估提供关键数据。