一种对DDR内存与SOC芯片整体温控的方法、装置及电子设备

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一种对DDR内存与SOC芯片整体温控的方法、装置及电子设备
申请号:CN202511246883
申请日期:2025-09-02
公开号:CN120743068B
公开日期:2025-11-18
类型:发明专利
摘要
本发明属于高集成度SOC芯片领域,公开了一种对DDR内存与SOC芯片整体温控的方法、装置及电子设备,包括:获取预先生成的DDR颗粒刷新率与温度的映射关系表;通过DDR驱动调用SOC芯片的DDR控制器,获取当前DDR颗粒刷新率;基于映射关系表中DDR颗粒刷新率与温度的映射关系,确定当前DDR颗粒刷新率对应的温度,作为DDR内存的第一温度;从SOC芯片中的温度传感器获取SOC芯片的第二温度;基于第一温度和第二温度,确定应采取的温度调控策略,并根据温度调控策略执行DDR内存与SOC芯片的整体温度调控操作。本发明有效降低DDR内存与SOC芯片的整体温度,进而降低DDR内存与SOC芯片的整体功耗。
技术关键词
SOC芯片 刷新率 内存 调控策略 映射关系表 DDR控制器 温度传感器 建立映射关系 控制器接口 指令 温控 电子设备 频率 周期性 可读存储介质 模式 计算机