一种基于共聚焦技术的3D形貌特征测量方法及装置
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一种基于共聚焦技术的3D形貌特征测量方法及装置
申请号:
CN202511262791
申请日期:
2025-09-05
公开号:
CN120747114B
公开日期:
2025-12-05
类型:
发明专利
摘要
本发明涉及一种基于共聚焦技术的3D形貌特征测量方法及装置,该方法包括:利用共聚焦3D线扫相机逐行扫描获取高分辨率3D高度数据后,先通过第一对应关系将其转为2D灰度图像,再利用灰度差异自适应阈值分割得到精准二值掩膜;随后提取掩膜中的像元边缘并反向映射回3D空间,形成覆盖整个像元的密集三维数据点集;最终基于所有数据点计算其实际高度,通过本方案能够准确识别所有凸起轮廓,减小了测量误差,实现高速、无接触、高精度的半导体像元高度检测。
技术关键词
形貌特征
像素点
半导体芯片
掩膜
密集三维数据
高斯径向基函数
测量方法
图像平滑化
关系
坐标点
可读存储介质
基底
拟合算法
处理器
种子
相机
测量误差
模块