金属凸块的减薄方法及TEM制样方法

本申请提供了一种金属凸块的减薄方法及TEM制样方法，属于半导体制造领域，包括提供具有钝化层及金属凸块的衬底；在钝化层上形成保护胶层，保护胶层至少覆盖金属凸块与钝化层的接触位置，金属凸块的顶面露出保护胶层；采用湿法刻蚀工艺去除金属凸块的部分厚度。本申请在湿法刻蚀之前，先在钝化层上形成保护胶层，保护胶层可以保护金属凸块与钝化层的接触位置，避免刻蚀金属凸块时，刻蚀剂从金属凸块与钝化层的接触位置钻入钝化层内部，腐蚀钝化层内部的结构，保护芯片样品上的原始缺陷的形貌；之后再进行TEM制样，金属凸块的侧壁上能够较好的形成制样保护层，提高了制样成功率，同时还可以避免产生修样错位问题。