一种发光二极管芯片及其制备方法

本发明公开了一种发光二极管芯片及其制备方法，在本发明的发光二极管芯片的制备方法中，通过设置第N量子阱层的厚度大于第一量子阱层的厚度，对所述第N量子阱层进行图案化处理，以形成多个第一凹槽，在多个所述第一凹槽中填充无机散射颗粒，且通过对P型半导体层进行图案化处理，以形成多个第二凹槽，在多个所述第二凹槽中填充有机散射颗粒，第一凹槽和第二凹槽的配合设置，进而分别填充无机散射颗粒和有机散射颗粒，进而量子阱发光层发出的光经过无机散射颗粒和有机散射颗粒的散射作用，可以大大增加发光二极管芯片的出光效率，并有利于扩大发光二极管芯片的出光角度。