芯片老化程度的监测方法、装置、电子设备及存储介质

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芯片老化程度的监测方法、装置、电子设备及存储介质
申请号:CN202511323960
申请日期:2025-09-16
公开号:CN121027799A
公开日期:2025-11-28
类型:发明专利
摘要
本申请实施例公开一种芯片老化程度的监测方法、装置、电子设备及存储介质,涉及集成电路可靠性技术领域,能够提高系统监测效率。所述方法包括:比较两个振荡器的输出频率,将频率较高的设置为参考振荡器,频率较低的设置为老化振荡器,一个振荡器比另一个振荡器的输出频率高;测量并存储所述参考振荡器和老化振荡器的初始频差参数;向所述老化振荡器输入测试激励,使所述老化振荡器工作于预设压力条件下,以模拟芯片在工作状态下的老化环境;在解除模拟老化环境且电路处于稳定状态后,测量所述参考振荡器和老化振荡器的当前频差参数,根据所述初始频差参数和当前频差参数,确定所述芯片的老化程度。本申请适用于芯片老化程度的监测场景中。
技术关键词
振荡器 电路性能参数 监测方法 芯片 频率 可执行程序代码 集成电路可靠性技术 时钟生成电路 标准单元 电子设备 处理器 系统时钟 场景 传输路径 计数器 内核 可读存储介质