摘要
本申请涉及芯片检测技术领域,公开了一种高可靠性电源芯片电路故障检测系统,包括集成于低压差线性稳压器芯片内的内建自测架构,内建自测架构设置有基于模式切换控制电路进行切换的第一测试模式和第二测试模式,以对低压差线性稳压器芯片中误差放大器子电路的关键性能参数进行检测,第一测试模式下用于测量误差放大器的直流环路增益、偏移电压、共模抑制比及电源纹波抑制比,第二测试模式下用于测量误差放大器的单位增益带宽。本申请,通过内建自测架构与两种测试模式的设计,在裸芯片阶段即可识别差分电路不平衡、反馈环路故障等异常状态,提前剔除性能较差的芯片,保障LDO芯片达到ppb量级的高可靠性标准。