摘要
本申请涉及硅直接键合芯片工艺技术领域，尤其涉及一种硅直接键合芯片阻条结构及干法刻蚀方法，所述方法先设定硅直接键合芯片的顶硅层目标厚度为预定的厚度范围；再采用三阶段刻蚀工艺对所述顶硅层进行刻蚀，所述三阶段包括启动阶段、主刻蚀阶段和终点控制阶段；在所述主刻蚀阶段和所述终点控制阶段中，通过光学发射光谱监测系统实时监测硅氟化合物特征峰的强度变化；当所述特征峰的强度变化的二阶导数的绝对值大于设定阈值时，触发所述终点控制阶段；在所述终点控制阶段中，引入含氟碳气体的脉冲工艺，并逐步降低刻蚀功率，以实现刻蚀速率的梯度下降，解决硅直接键合芯片刻蚀中厚度偏差大、侧壁角度不足的问题。
