射频开关芯片

本申请涉及微电子、半导体及通信技术领域，揭示了一种射频开关芯片，所述射频开关芯片的电路结构包括：变压器型差分电感T‑L1、变压器型差分电感T‑L2、一个电容C1、NMOS晶体管M1、NMOS晶体管M2以及栅极电阻RG1、栅极电阻RG2；本发明的射频开关芯片采用差分结构，可以消除了封装和测试时的接地键和线的寄生电感效应，改善了插入损耗和隔离度性能；相较于单端端口，差分端口更低的阻抗更有助于提升开关的功率容量；差分结构允许变压器型差分电感利用差分信号特性，改善电感等效品质因数，改善电路性能；差分结构能够提高电路线性度，尤其是二阶交调效应；差分结构能够与现代硅基CMOS射频系统兼容，不需要额外的巴伦进行信号转换。