基于伪位置的电阻率数据三维伪剖面生成方法及系统

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基于伪位置的电阻率数据三维伪剖面生成方法及系统
申请号:CN202511350683
申请日期:2025-09-22
公开号:CN120852680A
公开日期:2025-10-28
类型:发明专利
摘要
本发明公开了一种基于伪位置的电阻率数据三维伪剖面生成方法及系统,方法包括:根据预设的阵列过滤策略对所述多个四电极阵列预处理,得到目标四电极阵列;根据各个目标四电极阵列的几何配置与测量值,计算各个目标四电极阵列在预设的无限均匀半空间模型下的目标灵敏度平均位置,并将各个目标灵敏度平均位置定义为相对应的目标四电极阵列的目标伪位置;基于目标四电极阵列的目标伪位置和视电阻率值,通过三维散点图或插值等高线图绘制三维伪剖面。有效剔除了会导致计算结果无效的接近零耦合的阵列,生成的伪剖面能可靠地复现地下结构的主要特征,如层状界面、垂直接触面和局部异常体。
技术关键词
电极阵列 生成方法 短距离 表达式 策略 数据 插值算法 生成系统 处理器通信 理论 定义 坐标点 可读存储介质 符号 模块 可靠地