NAND闪存读取电压轴预测方法及装置、存储介质

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NAND闪存读取电压轴预测方法及装置、存储介质
申请号:CN202511383523
申请日期:2025-09-26
公开号:CN120877833A
公开日期:2025-10-31
类型:发明专利
摘要
本申请公开了一种NAND闪存读取电压轴预测方法及装置、存储介质,方法包括对不同类型的NAND在不同工况下进行特性测试,获取对应的电压轴数据及其特性参数;对所获取的数据进行清洗,并进行归一化处理;构建包含第一GRU分支和第二GRU分支的GRUM模型,交叉融合形成最终的GRUM预测模型,获取目标NAND闪存的实际编程/擦除周期和实际数据保留时间,输入最终的GRUM预测模型进行预测,输出目标NAND闪存的最佳读取电压轴预测值。本申请能够更好地捕捉和处理NAND闪存数据的非线性关系和时空依赖性,从而提高了预测的准确性。
技术关键词
GRU模型 数据保留时间 分支 电压 矩阵 NAND闪存数据 参数 计算机 编程 预测装置 工况 周期 可读存储介质 索引 元素 非线性 指令