半导体器件和半导体器件版图的非对称型修正方法

本申请实施例公开了半导体器件和半导体器件版图的非对称型修正方法。该半导体器件，包括金属互连层，金属互连层包括至少一个凹角位置，凹角位置设置有与金属互连层一体成型的过渡带；同一过渡带在凹角位置的两个垂直方向上的延伸距离不同，且在两个垂直方向上的延伸末端之间斜向过渡。对可能形成凹角或者添加等腰直角三角形后有连条风险的拐角，按照特定尺寸添加非等腰直角三角形，在避免形成新凹角和连条风险的基础上，使得凹角位置的内切圆半径尽可能增加，凹角处应力分布集中效应减弱，不易形成裂纹，消除金属电迁移、连条或断条等现象，明显提升产品质量，延长芯片寿命。