钇掺杂锑碲相变存储材料势函数模型的构建方法及势函数模型

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钇掺杂锑碲相变存储材料势函数模型的构建方法及势函数模型
申请号:CN202511431991
申请日期:2025-10-09
公开号:CN120913724A
公开日期:2025-11-07
类型:发明专利
摘要
本发明涉及材料科学技术领域,具体涉及一种钇掺杂锑碲相变存储材料势函数模型的构建方法及势函数模型,其中钇掺杂锑碲相变存储材料势函数模型的构建方法包括以下步骤:获取数据集,其中数据集包括多条训练数据,每条训练数据包括Y‑Sb‑Te模型、及与Y‑Sb‑Te模型相对应的材料性质;利用数据集对预设的NEP模型进行训练,得到钇掺杂锑碲相变存储材料的势函数模型。其解决了当前机器学习势效率低下的问题,可在图形计算卡下加速计算,实现接近于经典势函数的计算效率;同时弥补了经典势函数无法适用于多相多构型的复杂势能面场景的缺点,实现了接近于第一性原理精度的分子动力学模拟。
技术关键词
相变存储材料 钇掺杂 液相 描述符 数据 材料科学技术 可读存储介质 指令 计算机程序产品 存储器 处理器 计算机设备 算法 参数 构型 模块 坐标 场景 分子